Substrate for semiconductor device and semiconductor device using the same

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

15/614,612

專利證號

US 10,211,295 B2

專利獲證名稱

Substrate for semiconductor device and semiconductor device using the same

專利所屬機關 (申請機關)

國立暨南國際大學

獲證日期

2019/02/19

技術說明

本發明提供一種半導體裝置用基材及使用其之半導體裝置，該半導體裝置用基材包括：一陶瓷支持基材，由氮化鋁燒結體所構成，氮化鋁燒結體具有氮化鋁的多晶體結構；至少一層的氧化矽層，形成於該陶瓷支持基材上，其中該氧化矽層係藉由溶膠凝膠法所形成，其平均粗糙度小於該陶瓷支持基材，阻隔該陶瓷支持基材的多晶晶向，該至少一層的氧化矽層的總厚度為10~5000 nm；一第一緩衝層，係由氮化鋁所構成，形成於該氧化矽層上，該第一緩衝層具有優選的（0002）AlN 結晶結構，厚度為0.1~10 μm；以及一氮化鎵層，位於該第一緩衝層上，具有單晶結構。

備註

依111.12.20.本會111年第4次研發成果管理審查會決議辦理 本會(收文號1110053492)同意該校111年8月17日暨校研字第1111004945號函申請終止維護專利(國立暨南國際大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

研究發展處創業育成中心

連絡電話

049-2910960

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