浸入式傾斜角度曝光之高分子脊樑式波導結構之製法Method for fabricating polymer ridged waveguides by using tilted immersion lithography

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/000,348

專利證號

US 7,635,555 B2

專利獲證名稱

浸入式傾斜角度曝光之高分子脊樑式波導結構之製法Method for fabricating polymer ridged waveguides by using tilted immersion lithography

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2009/12/22

技術說明

本發明主要在於表述一個簡單製作45 高分子脊樑式波導的方法，實驗是以利用弗列斯涅(Fresnel Refraction)折射原理來設計並製作出45 的高分子波導結構。主要步驟為利用液體浸入式微影製程作出45 波導，並於結構表面鍍上一層金（導電層），再進行電鑄脫模後，可用於射出成型製造上。此製程的優點為可陣列化大量生產、有效降低生產成本與時間，未來也可廣泛應用於各種光電通訊系統中，如電光調變器、極化分離器、光分離器、光學感測器、相位調制器及CD/DVD光學讀取系統上等。 This contrivance aims to develop 45 degree ridged polymer waveguides with a simple process which designing and fabricating by using Fresnel Refraction principle. The key process was immersing the substrate in DI water to expose and the completive 45 degree ridged polymer waveguides would be sputtered in gold to electroforming. After completing the metallic mold, it can be applied to injection molding. The advantages of this processes were cost-down、mass production and less times, it also could be used in several kinds of photo-electric communication such as electro-optical modulator、polarization splitters, splitter, optics sensor, phase modulator, and CD/DVD read-write systems in the future.

備註

本部(收文號1050098146)同意該校105年12月28日興產字1054300837號函申請終止維護專利

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