發光裝置及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099107890

專利證號

I 396308

專利獲證名稱

發光裝置及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2013/05/11

技術說明

本發明係以兩層金屬夾上一層介電材料，加熱此結構後，介電材料中的熱輻射源則會在兩層金屬間傳遞形成波導模態，反覆共振的結果，使得共振頻率的熱輻射頻譜被選出且放大，並將上層金屬做成週期性孔洞的結構，以增加出光效率及阻擋此波段外的背景熱輻射，且銀本身的放射率(emissivity)又很小，可以用來提升訊號對背景輻射之對比，達到窄頻的紅外光光源。其製程主要係以在n型矽基板上先蒸鍍100 nm 之Ag或Au做為阻擋背景輻射抑制層，再於其上蒸鍍二氧化矽(SiO2)當作波導層，接著蒸鍍100nm之Ag，並做成週期性孔洞的結構。不同於以往的表面電漿熱輻射器，我們將波導層厚度加厚，使得元件整體由波導模態主導，並將孔洞的週期盡量縮短避免電漿效應對波導模態產生相互的影響，導致能量的消減或模態的混雜。利用波導模態結構產生的熱輻射頻譜，兼具高功率、室溫操作、製程簡便、及成本低廉等特性，且有極低的半高寬(△λ)與尖峰波長(λ)之比值△λ/λ，約可降低到3%，提供窄頻紅外光在紅外光工程上的應用。

備註

本部(收文號1100033534)同意該校110年6月9日校研發字第1100036312號函申請終止維護專利(台大)

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