假三閘極垂直式矽覆絶緣裝置及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097151011

專利證號

I 377672

專利獲證名稱

假三閘極垂直式矽覆絶緣裝置及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2012/11/21

技術說明

傳統水平式電晶體具有易與電路整合之優點，因而廣泛的被應用於積體電路的製造，然而，傳統水平式電晶體會較佔據基底面積，雖然在元件尺寸的微縮下增加元件高密度性，也帶來了其他的隱憂，諸如熱載子注入、漏電流、絕緣、短通道效應及通道長度控制等。為了改善上述的問題，需發展出不同電晶體的技術，如立體化電晶體的製程技術，以大量的減少半導體基底上所佔佈的面積。而相對於傳統平面式電晶體而言，垂直式電晶體更能凸顯目前及未來製造半導體記憶裝置及電路設計的高積集化的需求，且不需侷限微影製程。

備註

本部(收文號1040083830)同意該校104年11月20日中產營字第1041400247號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

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