單晶銅、其製備方法及包含其之基板

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102131258

專利證號

I 507569

專利獲證名稱

單晶銅、其製備方法及包含其之基板

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2015/11/11

技術說明

本發明係有關於一種單晶銅，其具有[100]方向，且體積係介於0.1~ 4.0×106 μm3。本發明更提供一種單晶銅之製備方法及包含其之基板。本案的目的是使用熱處理方式將電鍍後的銅經由再結晶的方法，製造具有高度優選方向的單晶金屬銅。此技術的特色在於能夠產生柱狀(100)晶粒，並且方向皆平行基材表面。單晶銅可以高達數十個微米，因此本技術非常適用於製造IC中的銅內連線(interconnect)，基板導線以及3D IC的銅墊層等結構。 The present invention relates to a Cu single crystal having [100] crystal orientation and a volume of 0.1~ 4.0×106 μm3. The present invention further provides a manufacturing method for Cu single crystals and a substrate comprising the same. This patent aims to use the annealing method after electroplating of copper to (100) Cu single crystal. The technique can produce the single crystal of (100) parallel to the substrate surface. We can fabricate the Cu pads as thick as tens of micrometers. Therefore, this invention is applicable to the Cu interconnects in ICs, under-bump-metallization of 3D IC, and Cu-based substrates.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址