抗反射結構、其製造方法、光電元件及由溶液中回收銀離子的方法Anti-reflection structure, manufacturing method thereof, photoelectric element and method for recovering silver ions from solution

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

109129264

專利證號

I 742821

專利獲證名稱

抗反射結構、其製造方法、光電元件及由溶液中回收銀離子的方法Anti-reflection structure, manufacturing method thereof, photoelectric element and method for recovering silver ions from solution

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2021/10/11

技術說明

以簡易低成本之以銅/銀輔助兩階段溼式蝕刻法，可使矽基板形成具有直立矽奈米線與倒金字塔之複合結構的製程技術，透過本專利技術所提出的結構設計可使入射光侷限於結構之中，大幅的降低光反射率以及增加入射光的利用，可應用於需吸收太陽光之光電元件的表面處理上。此外，本專利並提出蝕刻廢液回收方法，達到降低環境污染與貴金屬回收再利用之目的。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

企業關係與技轉中心

連絡電話

06-2360524

網址