隔離結構及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102103566

專利證號

I 557845

專利獲證名稱

隔離結構及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2016/11/11

技術說明

一種隔離結構之製造方法，其方法包含下列步驟。首先，提供一基底，基底上形成有複數個半導體圖案，其中基底與複數個半導體圖案之表面化學性質不同。接著，利用基底與複數個半導體圖案之表面化學性質不同，僅於複數個半導體圖案表面形成一自組裝分子層。然後，於複數個半導體圖案間之基底表面上形成一絕緣層。以及，去除自組裝分子層而露出複數個半導體圖案表面。目前製造半導體元件間隔離普遍採用淺溝渠隔離技術(STI)，製程相當複雜，該專利提出的元件隔離技術具有製程簡單、製造成本低等優點。 A method of fabricating an isolation structure includes following steps. Firstly, a substrate is provided, a plurality of semiconductor patterns is formed on the substrate, a difference of surface chemical properties between the substrate and the plurality of the semiconductor patterns is existed. Then, a self-assembly molecular layer (so called SAM layer) is only formed on a surface of the plurality of the semiconductor patterns according to the difference of surface chemical properties. Then, an isolation layer is formed on the substrate in the plurality of the semiconductor patterns. And, the surface of the plurality of the semiconductor patterns is exposed after the SAM layer is removed.

備註

本部(收文號1090028278)同意該院109年5月15日國研授半導體企院字第1091300562號函申請終止維護專利(國研院)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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