改質奈米點、其製造方法和其組成元件

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098107023

專利證號

I 518028

專利獲證名稱

改質奈米點、其製造方法和其組成元件

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2016/01/21

技術說明

本發明是有關於一種改質奈米點、其製造方法和其組成元件，特別是有關於一種用於改變載子通量之改質奈米點。 本發明係揭露一種改質奈米點，其表面係具有官能基，及其核心部分係為一聚合金屬氧化物、聚合類金屬氧化物或聚合金屬合金氧化物，且平均粒徑係為1-100 nm，更進一步僅為1-10 nm。另外更揭露一種改質奈米點的製造方法，以及利用改質奈米點之載子通量的改變，應用於有機半導體產業、光電產業和太陽能電池產業的元件製備。 The present invention discloses a modified nano-dot and a manufacturing method thereof. The modified nano-dot comprises a surface portion having a functional group and a core portion comprising a polymeric metal oxide, polymeric metalloid oxide or polymeric metal alloy oxide. The mean diameter of the modified nano-dot is 1-100 nm, preferably 1-10 nm. The modified nano-dot capable of changing a carrier flux can further apply to element manufacture in an organic semiconductor industry, optoelectronical technology, and solar cell industry.

備註

本部(收文號1110008609)同意該校111年2月15日清智財字第1119000986號函申請終止維護專利(國立清華大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

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