製作次微米圖樣化藍寶石基板之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099132671

專利證號

I 414647

專利獲證名稱

製作次微米圖樣化藍寶石基板之方法

專利所屬機關 (申請機關)

中原大學

獲證日期

2013/11/11

技術說明

本發明係揭露一種用以製作次微米圖樣化藍寶石基板之方法，可用以製作適用於氮化鎵發光二極體之一次微米圖樣化藍寶石基板。該方法包含下列步驟：於一藍寶石基板上形成一蝕刻擋層；於該蝕刻擋層上形成一光阻層；以一光罩接觸該光阻層；以一光束透過該光罩照射該光阻層，並對該光阻顯影以轉移該光罩上之一次微米圖樣至該光阻層；透過具有該次微米圖樣之該光阻層蝕刻該蝕刻擋層以形成一第一蝕刻擋層；以及，蝕刻具有該第一蝕刻擋層之該藍寶石基板以獲得該次微米圖樣化藍寶石基板。 A method fabricates a submicro patterned-sapphire substrate capable of being used in GaN light emitting diode. The method includes the following steps: forming a etching mask layer on a sapphire substrate; forming a photo resist layer on the etching mask layer; making a photo mask to contact the photo resist layer; illuminating the photo resist layer with a beam of light through the photo mask, and developing the photo resist layer to transfer a submicro pattern from the photo mask to the photo resist layer; etching the blocking layer through the photo resist layer with the submicro pattern to form a first etching mask layer; and, etching the sapphire substrate having the first etching mask layer to obtain the submicro patterned-sapphire substrate.

備註

本部(收文號1070018160)備查該校107年3月12日原產字第1070000738號函申請終止維護專利(中原)

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