測量氧化層厚度的方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100129153

專利證號

I 426576

專利獲證名稱

測量氧化層厚度的方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2014/02/11

技術說明

本發明提出一種測量氧化層厚度的方法，用於測量金氧半電容元件之氧化層的未知厚度。首先，產生電壓電流對應關係，所述電壓電流對應關係對應指示複數個第一閘極電壓與複數個第一漏電流密度。接著，將每一個第一漏電流密度分別對第一閘極電壓進行微分運算。接著，自多個第一閘極電壓中，選擇第一氧化層平能帶電壓對應微分後之多個第一漏電流密度的最小值。接著，依據第一氧化層平能帶電壓，自電壓電流對應關係中選擇目標漏電流密度。最後，將目標漏電流密度代入預設查找表，以計算氧化層的未知厚度。藉此，本發明可推算出金氧半電容元件之氧化層的各種厚度。 The present invention discloses a method for extracting unknown dielectric thickness of a metal oxide semiconductor. First, the present invention generates a current-voltage relationship for indicating a plurality of first gate voltages and corresponding first leakage current densities. And, the present invention respectively differentiates each of the first leakage current densities with respect to the corresponding first gate voltage.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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