高線性度增強型異質場效電晶體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095102912

專利證號

I309887

專利獲證名稱

高線性度增強型異質場效電晶體

專利所屬機關 (申請機關)

逢甲大學

獲證日期

2009/05/01

技術說明

一種高線性度增強型異質場效電晶體,係藉由線性變化砷化銦鎵成份之通道結構設計,並整合考量元件臨界電壓値對於工作區域之調變影響,預期不僅將能直接提供傳統空乏型操作元件之互補式結構選擇、擴增閘極電壓擺幅(gate voltage swing)範圍,同時將能大幅提昇元件之電流驅動能力、轉換互導增益、線性放大與高速操作等優異特性。尤其增強型操作元件具有低靜態功率消耗特性,本發明亦傳承化合物半導體高速元件優異之高截止頻率工作特性,可應用於微波推挽式放大電路設計。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

(04)24517250-6811

網址