具有高發光率的發光二極體的低溫製造方法Method of making a light emitting diode

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/540,621

專利證號

US 7,713,776 B1

專利獲證名稱

具有高發光率的發光二極體的低溫製造方法Method of making a light emitting diode

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2010/05/11

技術說明

本發明提供雙面粗化垂直導通式發光二極體及其製作方法，先粗化於磊晶基板上磊晶成長之磊晶膜的第一表面並設置頂電極，接著將暫時基板貼上並移除磊晶基板，然後以高低落差不小於300nm的條件粗化磊晶膜裸露出另一第二表面，再將永久基板接觸粗化後的第二表面，並利用光學等級的黏著層填置永久基板與第二表面之間而黏結二者，最後移除暫時基板，即製得雙面粗化垂直導通式發光二極體；本發明藉著粗化的第二表面與永久基板形成非全面的歐姆接觸，可以有效調整電能通過磊晶膜的分佈狀況，提昇磊晶膜的量子效應，進而提高發光二極體的發光效能。

備註

本部(收文號1060063873)同意該校106年8月10日興產字1064300420號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

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