底切蝕刻矽波導結構及其製造方法UNDERCUT ETCHING SILICON WAVEGUIDE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099107021

專利證號

I 452365

專利獲證名稱

底切蝕刻矽波導結構及其製造方法UNDERCUT ETCHING SILICON WAVEGUIDE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2014/09/11

技術說明

利用底切蝕刻方式，可製作出縮腰式脊狀結構，有效折射率於上部分較大，因此可將光波侷限於此結構中，作為波導用，而且，當此製程加入氧化過程時，亦可將整個波導埋入於氧化矽中，製作奈米大小尺寸之結構，其影響矽光子業或矽工業上為其製程方式，由此技術可直接於矽晶片上，設計、製作光波導，而免去使用矽於絕緣體(Silicon On Insulator, SOI)之晶片，執行相關光學訊號處理、光電轉換，由於其製作方式完全為現今矽工業所用技術，可與CMOS製程配合，不僅可降低其成本，亦可將所有光學技術植入矽CMOS技術上。 Using undercut etching method, the optical waveguide can be defined directly on Si wafer without employing SOI chip. The CMOS-compatible photonics circuit can thus be realized through such cost-effective technology template.

備註

本部(收文號1060046158)同意該校106年7月7日中產營字第1061400726號函申請終止維護專利 正確發明人:邱逸仁、吳祖修、顏宏戎

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址