多晶矽層與多晶矽薄膜電晶體的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

093139965

專利證號

I249856

專利獲證名稱

多晶矽層與多晶矽薄膜電晶體的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2006/02/21

技術說明

多晶矽層與多晶矽薄膜電晶體的製造方法

備註

本案經本校技術審查委員會同意中華民國專利証書領証

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

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