銅銦硒系薄膜太陽能電池及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

099115677

專利證號

I 433328

專利獲證名稱

銅銦硒系薄膜太陽能電池及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2014/04/01

技術說明

四元黃銅礦銅銦鋁二硒(CIAS)薄膜太陽能電池具相當寬廣的吸光範圍，在戶外環境下穩定性相當好。且具高轉換效率及低材料製造成本，因此被視為未來極具發展潛力的薄膜太陽能電池。 相對於四元黃銅礦二硒銅銦鎵（CIGS）薄膜太陽能電池, CIAS薄膜太陽能電池, 鋁（Al）元素具有比鎵(Ga)元素價格低廉且蘊藏量更為豐富之優勢,轉換效率方面，可達16.9%之轉換效率, 足以媲美CIGS薄膜太陽能電池（19.9%）. 經由本實驗室團隊研究,以特殊且簡易製作方法,令銅銦鋁二硒產生漸變式能隙,進而提高太陽能電池效率,整體而言,搭配此一結構具有下列優點： 一. 低背電極阻值:由於阻值對於背電極具載子收集之重要性,本特殊結構具備低背電極阻值優點,以此結構獲得更好的填充因子(fill factor)。 二. 增加轉換效率:由此結構,可使銅銦鋁二硒能隙調變成漸變式能隙,優點為增加載子接收(減少附合)。 三. 提高玻璃基板與鉬背電極附著度 四. 成本降低 Graded bandgap in the CIGS, CIAS absorber can yield higher cell efficiency from co-evaporation process. But co-evaporation process is difficult apply for larger area production process. We used a very simple idea in process to self-form double graded bandgap for both CIGS and CIAS absorber. This process can apply for large area mass solar cell production. The benefits of this patented process are: 1. low contact resistance which is good for fill factor. 2. higher solar cell conversion efficiency because the double graded bandgap can reduce recombination. 3. better absorber adhesion to back contact Mo layer. lower production cost because we replace Ga by cheaper Al element.

備註

本部(收文號1060000114)同意該校105年12月30日成大研總字第1054501055號函申請終止維護專利

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