鑽石磊晶成長方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

101143227

專利證號

I 481752

專利獲證名稱

鑽石磊晶成長方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2015/04/21

技術說明

本技術是有關一種鑽石磊晶成長方式，特別是一種將金屬沉積在鑽石基板上後成長磊晶鑽石膜的成長方式。一種鑽石磊晶成長方式，包含：提供一鑽石基板；沉積至少一金屬層於鑽石基板上，其中金屬層之金屬成分係滿足與鑽石晶格差異性小於15%以及溶碳率小於2wt%兩種特性至少其中之一之金屬；通入一反應氣氛；以及沉積一鑽石磊晶層於鑽石基板與金屬層上。藉由先形成一金屬層結構，以紓解成長磊晶鑽石薄膜所產生的薄膜應力，避免薄膜產生裂痕。如此則可獲得具有足夠膜厚且品質良好之磊晶層。可適用於(111)與(100)晶面之單晶成長。 A growth method of epitaxial diamond is provided here. It comprises several steps. First, providing a diamond substrate and then deposing at least one metal layer on the diamond substrate. Metal element of the metal layer satisfy at least one of the conditions: lattice mismatch between the metal element and diamond is less than 15% and dissolution rate of carbon is less than 2wt%. After that, injecting a reaction atmosphere and finally deposing an epitaxial diamond layer on the diamond substrate and the metal layer. By growing metal layer, it relieves stress generated in the thin film of the epitaxial diamond to prevent cracks. As a result, diamond epitaxial layers with enough thickness and good quality can be obtained. It can be applied to single crystalline diamonds of (111) and (001) crystal planes.

備註

本會(收文號1110027136)回應該校111年5月12日陽明交大研產學字第1110015716號函申請終止維護專利(國立陽明交通大學)

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