三維形狀微奈米結構3-D MICRO/NANO STRUCTURE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102114001

專利證號

I 498963

專利獲證名稱

三維形狀微奈米結構3-D MICRO/NANO STRUCTURE

專利所屬機關 (申請機關)

國立成功大學

獲證日期

2015/09/01

技術說明

一種三維形狀微奈米結構之製造方法係應用於一基板，第二蝕刻材料層位於基板與第一蝕刻材料層之間。製造方法包含一轉印步驟，藉由一模仁將一轉印材料層轉印至基板之第一蝕刻材料層；一第一蝕刻步驟，係以基板上之轉印材料層作為遮罩，對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻；以及一第二蝕刻步驟，對第一蝕刻材料層及第二蝕刻材料層進行蝕刻，且使第一蝕刻材料層具有一第一蝕刻率，第二蝕刻材料層具有一第二蝕刻率，第一蝕刻率與第二蝕刻率之比值小於30，而使第一蝕刻材料層完全蝕刻完，而留下已蝕刻之第二蝕刻材料層。 A manufacturing method of 3-D micro/nano structure, applied to a substrate on which a second etching material layer and a first etching material layer are disposed, includes a transfer step in which a transfer material layer is transferred to the first etching material layer by a mold; a first etching step in which the first and second etching material layers are etched through the transfer material layer as the mask; and a second etching step in which the first and second etching material layers are etched further with a first etching rate and a second etching rate respectively, and a ratio of the first etching rate to the second etching rate is smaller than 30 so that the etched second etching material layer remains when the first etching material is totally etched.

備註

本部(收文號1080026227)同意該校108年4月26日成大研總字第1081103516號函申請終止維護專利

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