光電極材料及其製備方法以及光電極的製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

104111159

專利證號

I 616913

專利獲證名稱

光電極材料及其製備方法以及光電極的製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立虎尾科技大學

獲證日期

2018/03/01

技術說明

一般量子點敏化太陽能電池所使用的光電極材料為CdS，先將TiO2漿料塗佈在導電玻璃上(FTO或ITO)，再以化學浴沉積法、連續離子層吸附與反應法、化學氣相沉積法等方式將CdS沉積在TiO2上，以上幾種方式都是兩段製程，在沉積CdS的製程中需要長時間的沉積，由於使用CdS為吸光材料而CdS的能隙為2.5 eV，換算的波長僅為500 nm，意即能吸收光的範圍窄，而CdSe的能隙僅為1.76 eV，換算的波長為700 nm，本發明利用熱裂解法直接將CdSe奈米晶沉積在TiO2粉體上，不僅大幅縮短製程時間，透過控制CdSe的沉積量與粒徑大小，調整光電極整體的吸收範圍與吸收程度，有效地將光能轉成電能。 CdS is typically Photoelectrode material for quantum dot-sensitized solar cell. First, TiO2 slurry was coated onto the conductive glass (FTO or ITO), then deposits the CdS nanocrystal on the TiO2 by a chemical bath deposition method, successive ion layer adsorption and reaction method or chemical vapor deposition process, and so on. The above methods are two-step processes, takes a long time in the CdS deposition process. For a light-absorbing material-CdS, its energy gap is 2.5 eV, indicates the emission wavelength is about 500 nm. On the other hand, the energy gap of CdSe is only 1.76 eV (700 nm), which means a broad absorb range can be achieved. The present invention utilizes the thermal decomposition method to deposit CdSe nanocrystalline on the TiO2 powder surface directly. This process is not only significantly reduced the process time, but also increase absorbance and the absorption range by controlling the particle size and deposition amount of CdSe nanocrystals.

備註

本會(收文號1110074705)同意該校111年12月6日虎科大智財字第1113400128號函申請終止維護專利(國立虎尾科技大學)

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