利用圖像式粒子束形成奈米結構的方法與裝置METHOD AND DEVICE FOR FABRICATING NANO-STRUCTURE WITH PATTERNED PARTICLE BEAM

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095126302

專利證號

I 307677

專利獲證名稱

利用圖像式粒子束形成奈米結構的方法與裝置METHOD AND DEVICE FOR FABRICATING NANO-STRUCTURE WITH PATTERNED PARTICLE BEAM

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2009/03/21

技術說明

利用圖像式粒子束形成奈米結構的方法與裝置專利技術有別於傳統製程中以一聚焦離子束(Focused Ion Beam,FIB)進行奈米結構點狀成長的方式,在本發明中,係直接利用經圖像化之二維圖像式粒子束,例如:二維圖像式聚焦離子束(2D Patterned and Focused Ion Beam),配合成長氣體源所提供的成長氣體,反應形成所需要的奈米結構。相較於習知技術,本發明之製作方法更為簡便且易於推廣。 The present invention provides a method and an apparatus for producing a two-dimensional patterned beam, e.g. a two-dimensional patterned and focused ion beam, for fabricating a nano-structure on a substrate with the precursor gas. In comparison with the conventional focused ion beam that is applied for fabricating a dot-like nano-structure the method is more simplified and easy to be achieved.

備註

本部(收文號1060052140)同意該院106年7月25日國研授儀服院字第1060901102號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

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