發明
中華民國
100116900
I 415281
太陽能電池元件SOLAR CELL DEVICE
國立成功大學
2013/11/11
本案提出應用微晶矽薄膜於異質接面太陽能電池結構中,藉由微晶矽薄膜不受光照衰退之特性取代原有結構之非晶矽薄膜,進行太陽能電池之製作,改善太陽能電池之效率。將傳統結構異質接面太陽能電池上下面之p型與n型非晶矽薄膜改由p型與n型為晶矽薄膜取代,預期藉由微晶矽薄膜本身在電性上之特性及其與非晶矽薄膜相較下所具備之穩定且傳導性佳等之優點,提升此一類型異質接面結構之太陽能電池轉換效率。加入微晶矽薄膜結構之異質接面太陽能電池,除保留原先結構之大開路電壓優點外,預期將能增加短路電流。 we present an idea which similar to the structure of the heterojunction with intrinsic thin layer (HIT) solar cell. This structure is made to enhance the cell performance by replacing the amorphous silicon thin film with hydrogenated microcrystalline silicon (mc-Si:H) thin films. The structure of the solar cell consists of bulk silicon wafer in the middle which with amorphous silicon layer on either side and two different types (either n-type or p-type) of microcrystalline silicon layer (a-Si:H) layers on either side of the amorphous silicon layer. This type of solar cell is expected to have the advantage of higher Jsc.
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