磊晶層的修復方法及使用該方法修復的光電元件METHOD FOR REPAIRING ETCHING DAMAGE ON NITRIDE-BASED EPITAXIAL LAYER OF OPTOELECTRONIC DEVICE AND OPTOELECTRONIC DEVICE ATTRIBUTABLE THERETO

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

16/525,225

專利證號

US 11,257,687 B2

專利獲證名稱

磊晶層的修復方法及使用該方法修復的光電元件METHOD FOR REPAIRING ETCHING DAMAGE ON NITRIDE-BASED EPITAXIAL LAYER OF OPTOELECTRONIC DEVICE AND OPTOELECTRONIC DEVICE ATTRIBUTABLE THERETO

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2022/02/22

技術說明

一種磊晶層的修復方法，包含準備步驟、升溫步驟、霧化步驟，及修復步驟。首先，準備步驟是準備一可被霧化且包括氮元素的工作液體，及一具有一腔室的退火裝置，接著執行升溫步驟，對該退火裝置的該腔室升溫至一預定溫度，並透過霧化步驟霧化該工作液體並輸入經升溫的該腔室中，最後修復步驟是將具有經蝕刻造成損傷的該磊晶層的該光電元件設置於該腔室中，以讓經霧化的該工作液體修復該磊晶層。此外，本發明還提供一種使用前述方法製成的光電元件。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

網址