轉移側向覆蓋生長磊晶層之方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10253575

專利證號

6686257

專利獲證名稱

轉移側向覆蓋生長磊晶層之方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2004/02/03

技術說明

本案係在提供一種轉移側向覆蓋生長磊晶層之方法，該方法包括下列步驟：(a)提供一第一基 板；(b)形成一第一磊晶層於該第一基板上；(c)形成一遮罩層於該第一磊晶層上，並蝕刻該 遮罩層以形成至少一圖案；(d)形成一第二磊晶層於該遮罩層上；(e)接合一第二基板於該第 二磊晶層上，該第二基板與該第二磊晶層間之接合介面視需要可加入不同之接合媒介層；以 及(f)濕式蝕刻該遮罩層，並分離該第二磊晶層與該第一磊晶層，以致獲得具有該第二磊品層 之該第二基板。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址