一種在砷化鎵半導體上的蕭基(Schottky)結構

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/200118

專利證號

6787910

專利獲證名稱

一種在砷化鎵半導體上的蕭基(Schottky)結構

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2004/09/07

技術說明

本發明係提供一種在砷化鎵(GaAs)半導體上的蕭基(Schottky)結構，包括：一砷化鎵(GaAs) 半導體基板；以及一金屬鈦(Ti)層，分佈於該砷化鎵(GaAs)半導體基板上，以形成蕭基接 觸；以及一擴散障礙層，分佈於該金屬鈦(Ti)層上，用以阻擋金屬層之擴散；以及一第一金 屬銅(Cu)層，分佈於該擴散障礙層上；藉由該擴散障礙層，俾可使後績的銅(Cu)金屬製程直 接鍍在第一金屬銅(Cu)層之上。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

網址