抗輻射雙擴散金氧半電晶體及其製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091137059

專利證號

202580

專利獲證名稱

抗輻射雙擴散金氧半電晶體及其製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

逢甲大學

獲證日期

2004/09/20

技術說明

一種抗輻射雙擴散金氧半電晶體及其製作方法，該抗輻射雙擴散金氧 半電晶體包含第一導電 型高濃度摻雜基作、一第一導電型低摻雜飄移區，為直該基作之上、 一第二導電型高濃度摻 雜井區，位於井區之一側之上，且與基作相偕、一閘極氧化物，位於 基底之上及一閘極，位 在閘極氧化物之上，其中第一導電型可以為P或N型，第二導電型可以 為P或N型。在此雙擴散 金氧半電晶體中第二導電型之高濃度摻雜井區係在深度方向上與第二 導電型之基底對齊，而 減少側向電阻值並降低寄生電晶體產生機率，以達到抗輻射之效果。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

(04)24517250-6811

網址