具雙面粗化垂直導通式發光二極體之製造方法及其產品

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097104206

專利證號

I 355760

專利獲證名稱

具雙面粗化垂直導通式發光二極體之製造方法及其產品

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2012/01/01

技術說明

本發明提供具雙面粗化垂直導通式發光二極體之製造方法及其產品，用在晶圓貼合製程溫度下呈液態的接著劑及晶圓貼合技術，將可作為電極的第二基板與雙面粗化的氮化鎵系列材料磊晶成的磊晶膜單元相連接，並在移除原本用於磊晶或連接磊晶膜單元的第一基板、設置電極後，製作得到具雙面粗化垂直導通式發光二極體，本發明除了同時藉由接著劑與晶圓貼合技術，而使第二基板與磊晶膜單元更穩固的連接之外，由於整個製程都是在不大於晶圓貼合製程溫度範圍下進行，所以可以克服高溫製程導致反射鏡發生質變的問題，使元件具有更高的發光效率。

備註

本部(文號1090000062)同意該校108年12月31日興產字第1084300814號函申請終止維護專利(中興)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

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