利用斜角度離子注入之非揮發性記憶體的製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

092132858

專利證號

I 234243

專利獲證名稱

利用斜角度離子注入之非揮發性記憶體的製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

中原大學

獲證日期

2005/06/11

技術說明

一種利用斜角度離子注入之非揮性記憶體的製作方法,主要係在氮化物 介電質中斜向佈值一些異質元素,如:Ge,Si,N2,O2該元素會在氮化物介 電質中形成更易捕捉電子的井陷,使得電子不易隨著操作時間地增加而 結合在一起,又經由一道蝕刻,將原先的上層氧化層及下層氧化層的兩端 部分蝕刻掉,以大幅降低氧化層因經由佈值其它的異質元素後所造成的 結構破壞,最後,再生長一氧化物間隙壁,以杜絕電子之流失,並可大幅提 升元件的可靠度.

備註

本部(收文號1050019607)同意該校105年3月21日原產字第1050000809號函申請終止維護專利

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作暨專利技轉中心

連絡電話

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