雙邊垂直型多層依附架構之半導體元件及其製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095134461

專利證號

I 316271

專利獲證名稱

雙邊垂直型多層依附架構之半導體元件及其製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2009/10/21

技術說明

製作出雙邊垂直型多層依附架構的覆晶技術 Semiconductor device having double vertical multi-layers structure and the method for making the same

備註

本部(收文號1040050425)同意該校104年7月13日中產營字第1040002835號函申請終止維護專利(中山)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址