具有大晶粒之銅薄膜、包含其之銅箔基板、以及該銅箔基板之製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103143343

專利證號

I 545231

專利獲證名稱

具有大晶粒之銅薄膜、包含其之銅箔基板、以及該銅箔基板之製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2016/08/11

技術說明

本發明提供一種具有大晶粒之銅薄膜，其中在該銅薄膜之至少一表面上，50%以上之面積的晶粒係沿[100]晶軸方向成長，且該複數個晶粒的平均大小為150 um以上。本發明之銅薄膜上的晶粒尺寸較大，且具有高度優選的方向性，因此可使銅薄膜具有良好的可撓性、穩定度以及抗電遷移特性。本發明亦提供具有上述銅薄膜之銅箔基板。 本發明是使用脈衝電鍍的方法，製造高密度且晶粒規則排列(具有highly preferred orientation)的奈米雙晶金屬銅膜，將該試片置放於真空退火爐內進行退火，得以再結晶方式使晶粒異常成長，產生超大尺寸(大於150微米)的晶粒且具有高度優選方向。此技術的特色在於能夠產生高度(100)優選方向的超大晶粒尺寸銅箔。延展性較佳。 The present invention provides a copper film with large grains, where, at least one surface, more than 50% area of the copper film is [100]-oriented grains, and the average size of [100]-oriented grains is more than 150 um. The grains on the copper film have large grain sizes and high preferred orientation, so that the copper film is provided with excellent properties such as flexibility, stability and electro-migration resistance. A copper clad laminate with the above-mentioned copper film is also herein provided.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智慧財產權中心

連絡電話

03-5738251

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