互補金屬氧化半導體生物感測器之製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

096144687

專利證號

I 341823

專利獲證名稱

互補金屬氧化半導體生物感測器之製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2011/05/11

技術說明

A fully CMOS compatible MEMS multi-project wafer process comprises coating a layer of thick photoresist on a wafer surface, patterning the photoresist to define a micro-machining region, and performing a micromachining in the micromachining region to form suspended microstructures.

備註

本部(收文號1110009447)同意該校111年2月17日國研授半導體企院字第1111300263號函申請終止維護專利(財團法人國家實驗研究院)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

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