以非晶質含氫碳化矽薄膜改進奈米孔洞二氧化矽薄膜介電特性之製作方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

091007

專利證號

188002

專利獲證名稱

以非晶質含氫碳化矽薄膜改進奈米孔洞二氧化矽薄膜介電特性之製作方法

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2003/09/21

技術說明

本發明提出一種以非晶質含氫碳化矽薄膜改進奈米孔洞二氧化矽薄膜介電特性之製作方法， 此方法整合了超低介電常數奈米孔洞二氧化矽薄膜之鍛燒製程、疏水性改質製程及蝕刻終止 層製程，係運用了非晶質含氫碳化矽薄膜做為雙層鑲嵌(dual damascene)製程中的蝕刻終止 層(etch-stop layer)，並將含版模(template)高分子之超低介電常數奈米孔洞二氧化矽薄 膜的前驅物溶液塗佈在其上。當進行鍛燒製程時，薄膜孔洞疏水性改質製程將同時被執行完 成。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

網址