非揮發性記憶體及其電荷儲存層的結構與製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

094120148

專利證號

I 268579

專利獲證名稱

非揮發性記憶體及其電荷儲存層的結構與製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2006/12/11

技術說明

一種以矽鍺氮化合物作為非揮發性記憶體儲存層

備註

依據103年4月30日該校來函申請終止維護並經本部同意

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址