以蠶絲蛋白做為介電材料之有機薄膜電晶體裝置及金屬-絕緣層-金屬電容結構及其製作方法OTFT and MIM Capacitor Using Silk Protein as Dielectric Material and Methods for Manufacturing the Same

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

12/761,008

專利證號

US 8,129,716 B2

專利獲證名稱

以蠶絲蛋白做為介電材料之有機薄膜電晶體裝置及金屬-絕緣層-金屬電容結構及其製作方法OTFT and MIM Capacitor Using Silk Protein as Dielectric Material and Methods for Manufacturing the Same

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2012/03/06

技術說明

本發明係有關於一種以蠶絲蛋白做為介電材料之有機薄膜電晶體裝置及金屬-絕緣層-金屬電容結構及其製作方法。其中，有機薄膜電晶體裝置係包括：一基板；一閘極，係配置於基板上；一閘極介電層，係配置於基板上且覆蓋閘極，其中閘極介電層之材料係包含一蠶絲蛋白；一有機半導體層；以及一源極、以及一汲極，其中有機半導體層、源極、以及汲極係配置於閘極介電層上方。以蠶絲蛋白做為閘極介電層之介電材料之有機薄膜電晶體，其載子移動率可高達約6 cm2/V-sec。 An organic thin film transistor (OTFT) and a metal-insulator-metal capacitor using silk protein as a dielectric material and methods for manufacturing the same are disclosed. The OTFT of the present invention comprises: a substrate; a gate disposed on the substrate; a gate insulating layer containing silk protein, which is disposed on the substrate and covers the gate; an organic semiconductor layer; and a source and a drain, wherein the organic semiconductor layer, the source and the drain are disposed over the gate insulating layer. The OTFT with silk fibroin as the gate dielectric exhibits a very high field effect mobility of 6 cm2/Vs.

備註

本部(收文號1061006743)同意該校106年11月15日清智財字第1069007513號函申請終止維護專利

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