薄膜發光輝度之檢測設備與方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

095144662

專利證號

I 321651

專利獲證名稱

薄膜發光輝度之檢測設備與方法

專利所屬機關 (申請機關)

明新學校財團法人明新科技大學

獲證日期

2010/03/11

技術說明

本發明提供一種薄膜發光輝度之檢測設備與方法，其係利用薄膜變形量量測儀與發光輝度量測儀來建立薄膜變形與發光輝度間的對應關係，藉由量測待測試片之薄膜變形量與對應關係進行比對分析來預測薄膜發光元件的發光輝度與發光壽命。 【創作特點】 本發明之主要目的在提供一種薄膜發光輝度之檢測設備與方法，其係利用薄膜變形量來預測薄膜發光輝度與薄膜發光壽命。 本發明之另一目的在提供一種薄膜發光輝度之檢測設備與方法，其可藉由量測薄膜變形量來有效的預估發光薄膜元件的壽命，大幅度節省現有量測發光薄膜元件壽命所需的時間花費。本發明之再一目的在提供一種薄膜發光輝度之檢測設備與方法，其可大幅度提高對發光薄膜元件品管時的檢測速度，並進而使出售的發光薄膜元件發光效率與品質穩定度提高，增進產品的市場競爭力。 本發明之又一目的在提供一種薄膜發光輝度之檢測設備與方法，其可廣泛地應用在任何薄膜發光元件，如OLED。 為達上述之目的，本發明提供一種薄膜發光輝度之檢測設備，其包含有：一用以承載一試片的承載平台；一用以檢測試片發光度的發光輝度檢測儀；一用以量測試片的薄膜變形量之薄膜變形量量測儀；一電源供應器；以及一處理單元。 本發明更提供一種薄膜發光輝度之檢測方法，其包含有下列步驟：首先提供數個試片；接續，對每一試片進行薄膜變形量與發光輝度量測；將所獲得之變形量、輝度與時間進行分析以求出對應關係；以及量測一待測試片的薄膜變形量並與對應關係進行比對分析，以進行試片輝度與發光壽命的預測。 底下藉由具體實施例詳加說明，當更容易瞭解本發明之目的、技術內容、特點及其所達成之功效。 This invention applies self-organized experimentation equipments to explore the experimentation of the light-emitting capability for organic light-emitting diode(OLED) test sample, and will develop a new technique for examining the luminance for OLED. After OLED test sample is conducted with electricity, the organic thin film of OLED will undergoing certain degrees of strain and this research intends to examine the degree of the strain for the thin film to explore the luminance degree for the OLED. This displacement quantity can be measured via laser displacement sensor, and by using spectrophotometer, the experimentation can measure the luminance value for OLED test sample. Thus, it can explore the strain for OLED and the luminance versus the time change. Lastly, the relationship between the luminance of OLED and displacement can be summarized and can provide the foundation in the future to predict the OLED luminance behavior via the thin film displacement behavior.

備註

本部(收文號1050026438)同意該校105年4月15日明新(產)字第1050003843號函申請終止維護專利

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