電子束漂移偵測裝置及偵測電子束漂移之方法ELECTRON BEAM DRIFT DETECTION DEVICE AND METHOD FOR DETECTING ELECTRON BEAM DRIFT

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/242,203

專利證號

US 9,165,746 B2

專利獲證名稱

電子束漂移偵測裝置及偵測電子束漂移之方法ELECTRON BEAM DRIFT DETECTION DEVICE AND METHOD FOR DETECTING ELECTRON BEAM DRIFT

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2015/10/20

技術說明

一種電子束漂移偵測裝置及方法，該方法主要係於工作件之特定位置設置具有預定形狀之特徵識別圖案，再透過經聚焦與偏折的電子束對工作件之表面與特徵識別圖案進行掃描，並感測於工作件之表面與特徵識別圖案上所產生的散射電子與二次電子，且發出對應之感測信號，之後，接收該感測信號，同時對該感測信號進行影像處理，以得到對應於該特徵識別圖案之電子影像，並且藉由比較該電子影像與該特徵識別圖案之預定形狀而測量該電子束的偏移程度。據此，能夠有效地測量電子束漂移現象。 In view of the disadvantages encountered in known lithography technology, the primary object of the present invention is to provide a highly cost-effective detection device for an electron beam direct writing lithography system. The electron beam drift varying over time can be detected accurately. A further object of the present invention is to provide a simplified detection method for detecting the electron beam drift. Therefore, the resolution of the electron beam drift detection can be increased.

備註

本部(收文號1100057959)同意該校110年9月16日校研發字第1100067275號函申請終止維護專利(台大)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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