微機電共振器及其訊號處理方法以及製造方法MEMS RESONATOR, MANUFACTORING METHOD THEREOF, AND SIGNAL PROCESSING METHOD USING MEMS RESONATOR

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/615,656

專利證號

US 8,854,149 B2

專利獲證名稱

微機電共振器及其訊號處理方法以及製造方法MEMS RESONATOR, MANUFACTORING METHOD THEREOF, AND SIGNAL PROCESSING METHOD USING MEMS RESONATOR

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2014/10/07

技術說明

本發明提出一種微機電共振器，其利用差動式壓阻感測技術，使此微機電共振器傳遞一訊號。此微機電共振器利用互補式金屬氧化層半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS）製程使其起振元件及壓阻元件達到電子絕緣，藉此降低饋通訊號(feedthrough signal)。 本發明是有關於一種共振器及其訊號處理方法以及製造方法，且特別是應用在無線射頻領域的微機電共振器及其訊號處理方法以及製造方法。 The present invention provided a capactively-driven MEMS resonator using differentially piezoresistive sensing to transfer a signal. The capacitive element and the piezoresistive element of the MEMS resonator is electrical isolation through the CMOS process, thereby decreasing the feedthrough signal.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉組

連絡電話

03-5715131-62219

網址