半導體裝置

專利類型

新型

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

109217544

專利證號

M 618395

專利獲證名稱

半導體裝置

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2021/10/21

技術說明

一種半導體裝置，包含：基板；閘極堆疊，設置於該基板上方；及源極與汲極，鄰近設置於該閘極堆疊的兩側。該閘極堆疊包括：第一鐵電層；第一介電層，設置於該第一鐵電層上方；第二鐵電層，設置於該第一介電層上方；及第一導電層，設置於該第二鐵電層上方。所述半導體裝置可在不大幅增加裝置厚度的情況下，擴大記憶體視窗，提升裝置的效能。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

網址