奈米異質結構、其製備方法及應用其之氣體感測器

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

105100692

專利證號

I 574006

專利獲證名稱

奈米異質結構、其製備方法及應用其之氣體感測器

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2017/03/11

技術說明

本專利揭露以氣相傳輸法、化學氣相沉積法(CVD)成長出冰柱狀的奈米冰柱(Nanoicicles)，經高溫(>800˚C)製備奈米冰柱，利用此製程可成功製備出銦、銀、金、氧化銦、氧化鋅、氧化鈦、二氧化錫、氧化鎢、氧化銅、氧化鎳、氧化鐵等一維奈米冰柱結構及形貌。實驗結果證明，製備完成的一維奈米冰柱具有結晶性佳、高的比表面積、與周圍環境中氣體分子容易交互作用及尺寸小等優點。而本製程亦可於第二階段以氣相傳輸、化學氣相沉積法、濕式化學法、電弧放電法、脈衝雷射蒸鍍(PLD)使珍珠狀的奈米顆粒或是奈米線橋接(或鑲嵌)於奈米冰柱上，形成奈米冰柱異質結構，並於橋接點形成p-n junction，其應用上猶如闇夜中閃熠的星辰。 This art discloses use of thermal vapor transport and chemical vapor deposition (CVD) to fabricate nanoicicle structure. Within fabricating at elevated temperature (>800˚C), our process enables as well as facilitate the morphology and structure of nanoicicle materials such as Indium, Silver, Gold, Indium oxide, Zinc oxide, Tin oxide, Titanium oxide, Nickel oxide, Tungsten oxide, Iron oxide..etc. Such 1-dimensional nanostructure of nanoicicle have attracted substantial attention owing to its unique structure, high specific surface area and distinctive properties. Furthermore, our as-synthesized nanoicicles structure can be intensively synthesized with pearl-liked nanoparticles functionalized on nanoicicle via chemical wet approach, leading to a formation of heterojunction on the contact bridge and eventually provide a promising material for the future applications.

備註

本部(收文號1100027139)同意該校110年5月13日興產字第1104300261號函申請終止維護專利(中興)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

網址