發光二極體及其製造方法(邊緣電極)

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

0092101087

專利證號

I234887

專利獲證名稱

發光二極體及其製造方法(邊緣電極)

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2005/06/21

技術說明

本發明係關於一種發光二極體(Light Emitting Diode，LED)及其製造方法。本發明之發光二極體主要係將新型之晶圓 貼合高亮度發光二極體其原先置於中央之電極移至邊緣，並將LED磊晶層之邊緣氧化成一透明絕緣區，該透明絕緣區可 藉由濕式氧化法形成。據此，本發明之發光二極體不僅可避免電流擁擠效應(current-crowding effect)，使電流分布 較均勻，若該電極位於光源四周，更可避免傳統電線遮蔽光窗之缺點，進而提高亮度。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

網址