高亮度發光二極體

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/259,915

專利證號

US6,759,685 B2

專利獲證名稱

高亮度發光二極體

專利所屬機關 (申請機關)

國立中興大學

獲證日期

2004/07/06

技術說明

本發明係關於增加發光二極體之發光效率及其製作方法，其主要係由一具反射鏡之LED磊晶層與一具黏合層之矽基板所 組成，於LED磊晶層之下層界面的底面鍍設有一層絕緣的鏡面反射層，而矽基板則係於對應LED磊晶層的反射層鍍設有一 黏合層，使LED磊晶層可透過鏡面反射層與黏貼於矽基板的黏合層，且於LED磊晶層的N型界面頂面鍍設有一N型的歐姆接 觸電極，並將LED磊晶層邊緣蝕刻至其P型界面，最後於LED磊晶層上露出的P型界面表面鍍設一P型歐姆接觸電極，以提 供發光二極體的歐姆接觸，如此藉由鏡面反射層及黏合面無歐姆接觸的特殊設計，可製造高效率發光二極體，以提升發 光二極體的適用範圍及其效率。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

技術授權中心

連絡電話

04-22851811

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