用於增進導電元件導電特性之奈米孔洞陣列

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097136177

專利證號

I 375984

專利獲證名稱

用於增進導電元件導電特性之奈米孔洞陣列

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2012/11/01

技術說明

本發明揭露一種用於增進導電元件導電特性之奈米孔洞陣列，該導電元件係由一第一層體及一第二層體所構成，於兩層體之間形成有一奈米孔洞陣列，且該奈米孔洞陣列係由複數個孔洞所構成。因此，藉由孔洞陣列尺寸的縮小、增加孔洞陣列的涵蓋率及熱退火處理提供了該導電元件一較佳的接觸導電特性。本發明之主要目的係致力於提升導電元件中的接觸導電率，且改善習知技術中需要高溫且長時間的熱退火處理程序。 為達上述目的，本發明提供一種用於增進導電元件之導電特性之奈米孔洞陣列，該導電元件係由一第一層體及一第二層體所構成，於該第一層體上形成有位於兩層體間的一奈米孔洞陣列，且該奈米孔洞陣列係由複數個孔洞所構成。 The present invention discloses a nano-hole array for improving the contact conductance of a conductor element that consists of a first layer and a second layer. The nano-hole array formed between two layers comprises a plurality of holes. Therefore, by narrowing the size of the hole array, increasing the occupation rate of the hole array, and processing the thermal annealing, would provide the conductor element a higher contact conductance.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

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