非揮發性記憶體元件、可程式記憶體元件、電容器與金屬氧化半導體

專利類型

新型

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

098143967

專利證號

I 407550

專利獲證名稱

非揮發性記憶體元件、可程式記憶體元件、電容器與金屬氧化半導體

專利所屬機關 (申請機關)

國立清華大學

獲證日期

2013/09/01

技術說明

本揭示內容是有關於一種電子元件，且特別是有關於一種有關半導體的電子元件。一種非揮發性記憶體元件、可程式記憶體元件、電容器以及金屬氧化半導體在此揭露，其中之非揮發性記憶體元件包含閘極介電層、浮動閘極、耦合閘、源極與汲極。閘極介電層形成於半導體基材上；浮動閘極形成於閘極介電層上；源極與汲極形成於半導體基材中，分別位於浮動閘極之相對兩側。耦合閘基本上由電容介電質層與接觸插塞組成，其中電容介電質層形成於浮動閘極上，接觸插塞形成於電容介電質層上。 A non - volatile semiconductor device, a programmable memory, a capacitor and a metal oxide semiconductor are disclosed, wherein the non - volatile semiconductor device includes a gate dielectric layer, a floating gate, a coupling gate, a source and a drain. The gate dielectric layer is formed on a semiconductor substrate. The floating gate is formed on the gate dielectric layer. The source and the drain are formed in the semiconductor substrate and are disposed at opposing sides of the floating gate. The coupling gate consists essentially of a capacitor dielectric layer and a contact plug, where the capacitor dielectric layer is formed on the floating gate, and the contact plug is formed on the capacitor dielectric layer.

備註

本部(收文號1070086727)同意該校107年12月20日清智財字第1079008172號函申請申請終止維護專利。

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