利用積體電路標準製程製作可同時偵測離子感測、溫度及光強度的多感測器及其讀出電路於一單晶片上的方法METHOD FOR FABRICATING A MONOLITHIC CHIP INCLUDING PH, TEMPERATURE AND PHOTO-INTENSITY MULTI-SENSORS AND A READOUT CIRCUIT

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

10/348,950

專利證號

US 6,897,081 B2

專利獲證名稱

利用積體電路標準製程製作可同時偵測離子感測、溫度及光強度的多感測器及其讀出電路於一單晶片上的方法METHOD FOR FABRICATING A MONOLITHIC CHIP INCLUDING PH, TEMPERATURE AND PHOTO-INTENSITY MULTI-SENSORS AND A READOUT CIRCUIT

專利所屬機關 (申請機關)

中原大學

獲證日期

2005/05/24

技術說明

本發明提供一種利用積體電路標準製程製作可同時偵測離子感測、溫度及光強度的多感測器 及其讀出電路於一單晶片上的方法。其中，上述讀出電路藉由選擇開關的使用以減少晶片面 積，可達成多感測器與讀出電路之微小化，並降低成本。此電路相關結構，使用如下的標準 機體電路製程：0.5微米製程，雙多晶矽雙金屬，N型井技術，且製作時將感測器及讀出電路 整合於一單晶片上。

備註

本部(收文號1050051935)同意該校105年7月20日原產字第1050002202號函終止維護專利20件(中原) 本案美國專利發明人為熊慎幹、周榮泉、孫台平、覃永隆、潘建尉、鍾文耀等6人

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作暨專利技轉中心

連絡電話

(03)2651830

網址