氮化銦鎵量子井製造方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

110146564

專利證號

I 796046

專利獲證名稱

氮化銦鎵量子井製造方法

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2023/03/11

技術說明

一種氮化銦鎵量子井製造方法，用以解決習知氮化銦鎵量子井晶格不匹配導致缺陷的問題。係包含：將一基板置於一製程腔，該基板具有一氮化鎵層；使該製程腔達到一製程真空度；同時將一電漿態的氮分子束、一銦分子束及一鋁分子束導入該製程腔，並控制該銦分子束與該鋁分子束之一流率比例，在該氮化鎵層上形成一氮化銦鋁薄膜，該流率比例為0.6、1.0、1.29、1.67或3.0；及在該氮化銦鋁薄膜上形成一氮化銦鎵量子井。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址