散熱基板與其製作方法THERMAL DISSIPATION SUBSTRATE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

13/548,477

專利證號

US 8,796,071 B2

專利獲證名稱

散熱基板與其製作方法THERMAL DISSIPATION SUBSTRATE

專利所屬機關 (申請機關)

國立交通大學

獲證日期

2014/08/05

技術說明

本發明提供一種散熱基板與其製作方法。該散熱基板包括：一基板，其具有一表面；複數下凹區域，其形成於該表面；以及複數鑽石材料，其填充於該複數下凹區域。該散熱基板製作方法包括以下步驟：（a）在一基板的一表面形成複數下凹區域；以及（b）填充複數鑽石材料於該複數下凹區域。製作半導體元件之基板的過程中，將鑽石材料（如鑽石顆粒）填充於圖案化基板來製作散熱基板，再以晶圓接合技術將此散熱基板與半導體或電子元件（如LED或CPU等）接合，將有效提昇元件特性，並且避免了鑽石不導電以及其與基板或元件材料性質差異所導致的切割問題。 Thermal management of LED and CPU is very important because the increase of devices’ temperature degrades their performance and lift span. This problem can be improved using high thermal conductivity substrate. Among all the materials, diamond has the highest thermal conductivity (~2000 W/M-K). Unfortunately, diamond is electrical insulator and hard to process. In our new technologies, we first making/etching groves/channels on conductive (semi conductive) substrate, and fill diamond particles into the groves/channels. With wafer bonding techniques, high thermal and electrical conductivity substrate were obtained.

備註

本部(收文號1100065219)同意該校110年10月27日陽明交大研產學字第1100036963號函申請終止維護專利(陽明交大)

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