Method for fabricating group III-nitride semiconductor

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

61/369,480

專利證號

US 8,501,597 B2

專利獲證名稱

Method for fabricating group III-nitride semiconductor

專利所屬機關 (申請機關)

中央研究院

獲證日期

2013/08/06

技術說明

此專利為製作大面積與低缺陷之三族氮化物半導體基板與其元件，此方法可以製作高品質低缺陷氮化鎵基板，並且與側向磊晶法(ELOG)相比較下此技術無存在高缺陷密度區域，此外此基板可以當作一獨立基板。

備註

本部(收文號1100010775)同意該院110年2月22日智財字第1100501424號函申請終止維護專利(中央研究院)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智財技轉處

連絡電話

02-2787-2508

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