場發射陰極之製備方法

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

097150886

專利證號

I 411006

專利獲證名稱

場發射陰極之製備方法

專利所屬機關 (申請機關)

國防大學

獲證日期

2013/10/01

技術說明

本發明為一種場發射陰極之製備方法，包括以下步驟：(a)粗化金屬基材；(b)以表面改質溶液處理該金屬基材；以及(c)於該金屬基材表面形成奈米碳材薄層。本發明亦關於另一種場發射陰極之製備方法，包括以下步驟：(a)於基材表面形成一多孔性金屬層；(b)以含離子型界面活性劑之表面改質溶液處理該基材之該多孔性金屬層；以及(c)於該多孔性金屬層表面形成奈米碳材薄層。由本發明上述製出的場發射陰極，可改善奈米碳材與基材之間的黏著性，同時增加場發射元件的發射均勻性，進而適用於平面顯示器、背光元件、平面光源與其他各類型照明光源。

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

連絡電話

03-3652242

網址