半導體結構Semiconductor Structure

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

102109507

專利證號

I 531059

專利獲證名稱

半導體結構Semiconductor Structure

專利所屬機關 (申請機關)

財團法人國家實驗研究院

獲證日期

2016/04/21

技術說明

此專利為一半導體結構，此半導體結構包含一基材、至少一第一N型鍺結構和至少一第一P型鍺結構。第一N型鍺結構形成於基材之上並且包含兩末端結構和一至少在兩末端結構間並且和兩末端結構鍵結之第一中央結構。第一中央結構懸浮於基材之上，其邊表面為{111}的鍺晶格面。而第一P型鍺結構形成於基材之上並且包含兩末端結構和至少一在兩末端結構間和兩末端結構鍵結之第二中央結構。第二中央結構其邊表面為{110}的鍺晶格面。 A semiconductor structure is provided. The semiconductor structure includes a substrate, at least a first N-type germanium (Ge) structure and at least a first P-type Ge structure. The first N-type Ge structure is formed on the substrate and has two end parts and at least a first central part bonded between the two end parts thereof. The first central part is floated over the substrate, and a side surface of the first central part is a {111} Ge crystallographic surface. The first P-type Ge structure is formed on the substrate and has two end part and at least a second central part bonded between the two end parts thereof. The side surface of the second central part is a {110} Ge crystallographic surface.

備註

本部(收文號1080079312)同意該院108年12月11日國研授半導體企院字第1081301803號通報專利終止維護案。

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

國研院技術移轉中心

連絡電話

02-66300686

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