合成高品質碳薄膜或無機材料薄膜之設備與方法APPARATUS AND METHOD FOR THE SYNTHESIS OF HIGH-QUALITY OF CARBON FILM OR INORGANIC MATERIAL FILM

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

103139457

專利證號

I 535887

專利獲證名稱

合成高品質碳薄膜或無機材料薄膜之設備與方法APPARATUS AND METHOD FOR THE SYNTHESIS OF HIGH-QUALITY OF CARBON FILM OR INORGANIC MATERIAL FILM

專利所屬機關 (申請機關)

國立中央大學

獲證日期

2016/06/01

技術說明

本發明揭示在基板上成長薄膜的方法，本方法可在基板上成長高品質和大面積規格的薄膜層(例如石墨烯層)，藉由連續式線狀掃描熱退火的方式，使得石墨烯的微小晶域可以有機會經由後段的能量來修復、再成長、晶向旋轉，可以達到結晶性優化且有效降低缺陷密度的目的，改善目前石墨烯於應用上的瓶頸。此外，本發明亦將藉由此機制提高薄膜的導電性能。並實現連續式化學氣相沉積法之生產的設備與製程模式，進一步加速石墨烯量產化、低成本、高品質及商業化的目標。 The present invention discloses a process for forming a thin film with a continuous process. The process can form a thin film such as a graphene film on a substrate in high quality and in large area with a continuous chemical vapor deposition process. To achieve mass-produced and commercial ability.

備註

本部(收文號1110013046)同意該校111年3月8日中大研產字第1111400280號函申請終止維護專利(國立中央大學)

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

智權技轉組

連絡電話

03-4227151轉27076

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