分佈反饋式半導體雷射裝置/DISTRIBUTED FEEDBACK SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

美國

專利申請案號

16/228,774

專利證號

US 10,916,915 B2

專利獲證名稱

分佈反饋式半導體雷射裝置/DISTRIBUTED FEEDBACK SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

專利所屬機關 (申請機關)

國立中山大學

獲證日期

2021/02/09

技術說明

【中文】 一種分佈反饋式半導體雷射裝置，包含主動層、第一光柵層和第二光柵層。第一光柵層包含具有第一光柵週期之第一光柵結構。第二光柵層包含具有第二光柵週期之第二光柵結構，其中第二光柵週期實質相異於第一光柵週期。主動層、第一光柵層及第二光柵層係上下堆疊而成，且分佈反饋式半導體雷射裝置的等效光柵週期為(2×P1×P2)/(P1+P2)，其中P1和P2分別為第一光柵週期和第二光柵週期。 【英文】 A distributed feedback (DFB) semiconductor laser device includes an active layer, a first grating layer and a second grating. The first grating layer has a first grating structure with a first grating period. The second grating layer has a second grating structure with a second grating period substantially different from the first grating period. The active layer, the first grating layer and the second grating layer are vertically stacked, and the equivalent grating period of the DFB semiconductor laser device is (2×P1×P2)/(P1+P2), where P1 and P2 respectively represent the first grating period and the second grating period.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學營運及推廣教育處

連絡電話

(07)525-2000#2651

網址