於氮化鎵上製作氧化鋅之方法與其應用

專利類型

發明

專利國別 (專利申請國家)

中華民國

專利申請案號

100139671

專利證號

I 429795

專利獲證名稱

於氮化鎵上製作氧化鋅之方法與其應用

專利所屬機關 (申請機關)

國立臺灣大學

獲證日期

2014/03/11

技術說明

在氮化鎵上製作氧化鋅薄膜有許多種方法，例如：脈衝雷射沈積(PLD)、射頻磁控濺鍍機、電化學沈積、分子束磊晶法(MBE)等等。由於前述方法就以磊晶環境及成本來說要求都稍微高，因此我們使用水熱法製作氧化鋅薄膜，利用水熱法製作氧化鋅薄膜的優點有：不需要太昂貴的設備即可完成、實驗操作在低於一百度的環境即可、實驗危險性低、不需要金屬輔助結晶。 此技術是採用溶液製程法製作氧化鋅薄膜在氮化鎵上，並在氧化鋅薄膜上磊晶完後續發光二極體的各個磊晶層後，再利用化學蝕刻法蝕刻氧化鋅薄膜，達到重複利用氮化鎵基板使其可重新再利用溶液製程法製作氧化鋅薄膜。 The flat ZnO thin films on GaN on silicon were fabricated successfully by hydrothermal method. After fabricating ZnO thin films, other epitaxial layers could be fabricated on ZnO thin films via MOCVD. Following the steps, the ZnO thin films could be lifted off via acidic aqueous. Therefore, these substrates can be recycled to grow ZnO thin films by Hydrothermal method again and lower the cost of the fabrication of LEDs.

備註

連絡單位 (專責單位/部門名稱)

產學合作總中心

連絡電話

33669945

網址